La memoria Flash si inserisce nel vasto mondo delle memorie a semiconduttore nella  classe delle memorie non-volatili e riprogrammabili. Il termine  non-volatile sta ad indicare la capacità di una memoria a  mantenere l’informazione in essa immagazzinata anche in assenza della tensione di alimentazione per un tempo indefinitamente lungo. La riprogrammabilità indica invece la possibilità di modificare il contenuto informativo delle celle di memoria. A far parte di questa classe troviamo anche le memorie EPROM (Eraseble Programmable Read Only Memory) e le EEPROM (Elettricaly Erasable PROM). Per capire perché il mercato delle memorie Flash abbia di gran lunga sorpassato per quantità quello delle memorie sorelle EEPROM e EPROM è necessario spendere qualche parola sulle loro differenze strutturali e funzionali. Per quanto riguarda la programmazione, le tre memorie si basano pressoché sullo stesso principio in quanto sfruttano il concetto di floating-gate, che verrà esposto nel successivo paragrafo; ma la caratteristica che distingue le tre memorie è legata all’operazione di cancellazione. La memoria EPROM viene cancellata rimuovendo il chip dal sistema nel quale è inserito e sottoponendolo a radiazione ultravioletta. Per quanto riguarda le memorie EEPROM, questa viene cancellata per via elettrica; il grosso vantaggio legato a tale tecnica è che l’operazione avviene on-chip ovvero non è necessario estrarre il chip dal circuito nel quale è inserito.
La limitazione delle EEPROM risiede però nell’utilizzare due transistor per ogni bit di informazione memorizzato, uno di selezione e l’altro di conservazione.  La FLASH, invece, a differenza delle EEPROM necessita di un unico transistor per ogni bit di informazione, in quanto non presenta il transistor di selezione. Il vantaggio offerto dalla FLASH consiste quindi in un aumento della capacità della memoria per unità di area, nonostante che l’assenza del transistor di selezione abbia reso impossibile la cancellazione selettiva di un unico bit o di una parola. Per alleggerire questa limitazione si realizzano flash memory, organizzate in settori logici, permettendo così la cancellazione di singoli blocchi di memoria tramite l’applicazione di tensioni elevate al substrato oppure al source comune.  Si comprende quindi come le memorie Flash vengano adottate in quei sistemi in cui sia richiesta non-volatilità, bassi costi, alto grado di integrazione e come l’informazione non necessiti di frequenti aggiornamenti.  I campi di applicazione che negli ultimi anni si sono sviluppati per le memorie Flash sono numerosi; per fare qualche esempio basta citare le fotocamere digitali che necessitano di una memoria in grado di immagazzinare grandi quantità di dati, in sistemi logici principalmente microprocessori, per immagazzinare codici di identificazione o per la realizzazione di  smart card.