La sfida di chi progetta alimentatori è quella di ridurre lo spessore degli induttori per poter rispettare i requisiti di profili sottili imposti da applicazioni come notebook e dispositivi ultrabook. La famiglia FDMF6708N Generation II XS DrMOS presentata da Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS) propone una soluzione per stadi di potenza integrata, compatta e completamente ottimizzata che abbina MOSFET e driver per applicazioni buck DC-DC sincrone ad alta frequenza e correnti elevate. Il dispositivo FDMF6708N integra un circuito driver, due MOSFET di potenza e un diodo Schottky di bootstrap all’interno di un package standard PQFN Intel DrMOS v4.0 da 6x6mm2 termicamente avanzato.

La soluzione FDMF6708N dimezza gli ingombri offrendo un’elevata frequenza di commutazione e un’alta densità di potenza. La sua funzione Zero Cross Detect (ZCD) migliora l’efficienza in presenza di carichi leggeri estendendo l’autonomia della batteria. A differenza delle soluzioni discrete tradizionali, questo dispositivo garantisce alta efficienza anche a pieno carico grazie alla più recente tecnologia di controllo di FET e SyncFET, oltre a un packaging clip-bond con una ridotta induttanza di source. Le soluzioni discrete tradizionali occupano parecchio spazio su scheda, richiedono layout con piste più lunghe, comportano induttanze superiori e un maggior numero di componenti raggiungendo oltretutto performance termiche mediocri alle alte frequenze necessarie a ottenere un basso profilo magnetico.

Disponibile in un package PQFN da 6×6 mmq, il dispositivo FDMF6708N vanta un’efficienza migliore del 2,5% a carico di picco (15A) e del 6% a pieno carico (30A) rispetto ai concorrenti. Il dispositivo è adatto alle applicazioni che richiedono una frequenza di commutazione compresa tra 600KHz e 1,0MHz, anche con una tensione di ingresso di 20V. Ciò permette ai progettisti di ricorrere a condensatori e induttori più piccoli e sottili in modo da ridurre le dimensioni del sistema, pur rispettando i requisiti termici. Il dispositivo FDMF6708N aiuta a risolvere le sfide legate alla progettazione di ultrabook più sottili, efficienti dal punto di vista energetico e dal punto di vista della dissipazione del calore.

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http://www.fairchildsemi.com/pf/FD/FDMF6708N.html

Caratteristiche e vantaggi:

• La frequenza di commutazione superiore a 1,0MHz riduce le dimensioni complessive della soluzione facendo risparmiare fino al 50% di spazio su scheda e permettendo di ottenere sistemi più sottili attraverso la riduzione dello spessore degli induttori
• Circuiteria Zero Cross Detect (ZCD) per migliori performance in presenza di carico leggero
• Package PQFN da 6×6 mmq Intel DrMOS v4.0, un Multi Chip Module (MCM) ottenibile da più fornitori
• Efficienza migliore del 2,5% a carico di picco (15A) e del 6% al pieno carico di 30A (19Vin, 1Vout, 800KHz) rispetto ai concorrenti, per una superiore autonomia delle batterie

La famiglia Fairchild Semiconductor Generation II XS DrMOS mette a disposizione la tecnologia più avanzata per risolvere le sfide dell’efficienza energetica e dei fattori forma incontrati nella moderna progettazione. I dispositivi Generation II XS DrMOS fanno parte delle soluzioni di potenza discrete, analogiche e optoelettroniche Fairchild che massimizzano il risparmio energetico nelle applicazioni più sensibili ai consumi elettrici.

Fairchild Semiconductor: soluzioni per il vostro successo.

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Fairchild Semiconductor (NYSE: FCS): presenza globale, supporto locale, idee un passo avanti. Fairchild propone ai designer di sistemi mobili e di alimentazione soluzioni a valore aggiunto basate su semiconduttori facili da usare ed efficienti nei consumi. Fairchild aiuta i clienti a differenziare i loro prodotti e risolvere sfide tecniche complesse grazie alla propria competenza nei prodotti per alimentazione e signal path. Fairchild è raggiungibile sul Web all’indirizzo www.fairchildsemi.com.
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